課程大綱 Syllabus |
學生學習目標 Learning Objectives |
單元學習活動 Learning Activities |
學習成效評量 Evaluation |
備註 Notes |
序 No. | 單元主題 Unit topic |
內容綱要 Content summary |
1 | 半導體雷射簡介 |
半導體雷射的:
發展與演進
基本操作原理,特點
材料與應用 |
半導體雷射的:
發展與演進
基本操作原理,特點
材料與應用 |
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2 | 量子力學簡介 |
量子力學起源
重要量子力學觀念
薛丁格波動方程式 |
量子力學起源
重要量子力學觀念
薛丁格波動方程式 |
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3 | 光電半導體物理回顧 |
能帶的形成和意義
能態密度與載子統計
費米能階與載子濃度
各導電型半導體載子傳輸行為
載子躍遷/載子與光子交互作用 |
能帶的形成和意義
能態密度與載子統計
費米能階與載子濃度
各導電型半導體載子傳輸行為
載子躍遷/載子與光子交互作用 |
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4 | 光電半導體異質接面 |
同質PN接面
異質接面
載子注入效率 |
同質PN接面
異質接面
載子注入效率 |
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5 | 半導體雷射的光增益與光放大 |
雷射增益
增益與注入載子的關係
量子阱的增益頻譜
透明載子濃度 |
雷射增益
增益與注入載子的關係
量子阱的增益頻譜
透明載子濃度 |
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6 | 半導體雷射震盪條件與連續操作特性 |
共振腔結構
振幅條件
相位條件
VCSEL
半導體雷射輸出特性 |
共振腔結構
振幅條件
相位條件
VCSEL
半導體雷射輸出特性 |
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7 | MOCVD磊晶技術 |
各種磊晶半導體雷射技術
有機金屬氣相沉積(MOCVD)系統
MOCVD技術概要 |
各種磊晶半導體雷射技術
有機金屬氣相沉積(MOCVD)系統
MOCVD技術概要 |
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8 | 半導體雷射製造技術 |
脊狀波導雷射製程
埋入式波導雷射製程
半導體雷射晶粒製程 |
脊狀波導雷射製程
埋入式波導雷射製程
半導體雷射晶粒製程 |
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9 | 半導體雷射特性 |
L-I/ I-V/ Ith/ SE/ Rs/ Po/特性
高功率雷射
高速雷射 |
L-I/ I-V/ Ith/ SE/ Rs/ Po/特性
高功率雷射
高速雷射 |
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10 | 期末考試 |
檢視學習成效 |
確認學習成效 |
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8題 總分140分
(自選5題以上/Open Book) |