教學大綱表 (114學年度 第2學期)
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課程名稱
Course Title		 (中文) 半導體工程導論
(英文) Introduction To Semiconductor Engineering 		開課單位
Departments		 機械與材料工程學系
課程代碼
Course No.		 M2340
授課教師
Instructor		 魏哲弘
學分數
Credit		 3.0 必/選修
core required/optional		 選修 開課年級
Level		 大二
先修科目或先備能力(Course Pre-requisites)：無
課程概述與目標(Course Overview and Goals)： 瞭解半導體製程基本理論與實務
教科書(Textbook) Hong Xiao, 半導體製程技術導論 羅正忠 張鼎張 譯 歐亞書局 2008年
參考教材(Reference) 無
課程大綱 Syllabus 學生學習目標
Learning Objectives		 單元學習活動
Learning Activities		 學習成效評量
Evaluation		 備註
Notes
序
No.		 單元主題
Unit topic		 內容綱要
Content summary
1 導論 1. 半導體的歷史
2. 簡短回顧 		瞭解何謂半導體  
2 積體電路生產的簡介 1. 簡介
2. 良率
3. 無塵室基礎
4. 積體電路工廠的基本結構 		瞭解積體電路生產流程  
3 半導體的基礎 1. 半導體的基礎
2. 基本的元件
3. 積體電路晶片
4. 基本的積體電路製程
5. CMOS
6. 1990以後的技術趨勢 		瞭解半導體的基本理論  
4 晶圓製造 1. 簡介
2. 為什麼要用矽?
3. 晶體結構與缺陷
4. 從矽到晶圓
5. 磊晶成長 		瞭解晶圓的生產流程  
5 加熱製程 1. 簡介
2. 氧化 		瞭解加熱製程及其應用  
6 加熱製程 1. 擴散
2. 退火 		瞭解加熱製程擴散及退火  
7 微影技術 1. 簡介
2. 何謂光阻
3. 微影步驟 		瞭解何謂微影  
8 微影技術 1. 微影製程步驟
2. 微影技術的趨勢 		瞭解微影技術  
9 期中考 課程前半段的期中考 期中考  
10 電漿的基礎原理 1. 簡介
2. 電漿的定義
3. 電漿中的碰撞
4. 電漿的參數 		瞭解何謂電漿  
11 電漿的應用 1. 離子轟擊
2. 直流偏壓
3. 電漿製程的優點
4. PECVD 		瞭解電漿形成機制及應用  
12 離子佈植 1. 簡介
2. 離子佈植的基礎
3. 離子佈植的硬體
4. 離子佈植製程
5. 安全性 		瞭解離子佈植原理及應用  
13 蝕刻 1. 蝕刻簡介
2. 蝕刻的基礎
3. 濕式蝕刻製程 		瞭解蝕刻原理  
14 蝕刻 1. 乾式蝕刻製程
2. 電漿蝕刻製程
3. 製程趨勢 		瞭解蝕刻應用  
15 化學氣相沉積 1. 簡介
2. 化學氣相沉積
3. CVD製程
4. SOG
5. 高密度電漿CVD 		瞭解 CVD  
16 介電薄膜 1. 介電薄膜的特性
2. 介電薄膜CVD製程
3. 介電薄膜CVD製程
4. SOG 		瞭解介電薄膜  
17 專題報告 半導體或LED相關之專題報告 結合理論將其應用於實作  
18 期末考 期末考 整體成效檢驗  
彈性教學週活動規劃
序
No.		 實施期間
Period		 實施方式
Content		 教學說明
Teaching instructions		 彈性教學評量方式
Evaluation		 備註
Notes
1 起:2026-04-06 迄:2026-06-19 5.小專題 Project 分組製作專題 分組專題


教學要點概述：
1.自編教材 Handout by Instructor：
□ 1-1.簡報 Slides
■ 1-2.影音教材 Videos
□ 1-3.教具 Teaching Aids
■ 1-4.教科書 Textbook
■ 1-5.其他 Other
■ 2.自編評量工具/量表 Educational Assessment
□ 3.教科書作者提供 Textbook

成績考核 Performance Evaluation： 期末考：25%   期中考：25%   彈性教學：10%   平時考：30%   作業：10%  

教學資源(Teaching Resources)：
□ 教材電子檔(Soft Copy of the Handout or the Textbook)
□ 課程網站(Website)
扣考規定：https://curri.ttu.edu.tw/p/412-1033-1254.php